홍성주 하이닉스 상무는 새로운 개념의 3차원 트랜지스터와 신호 오류를 방지하는 신호증폭기 설계를 기반으로 80㎚ 기술을 적용한 512M DDR2 개발을 주도했다.

이 제품은 현존하는 모든 DRAM 중 최고의 리텐션 타임을 확보함과 동시에 제품의 제반 특성과 수율에서도 차별화된다.

하이닉스가 개발한 이 기술은 모바일 및 그래픽 제품 등 저전력과 고성능을 동시에 요구하는 각종 제품에 활용되고 있으며 현재 개발 중인 60㎚ 및 50㎚급 제품에도 응용되고 있다.

이 제품의 개발과 생산과정에는 다수의 국내 장비 및 재료 업체가 참여한 것도 특징이다. 하이닉스 각 팹으로 이 제품의 생산이 확대됨에 따라 참여 업체에 대한 경제적·기술적 파급 효과도 확산, 국내 반도체 산업 발전에 전기를 마련할 전망이다. 또 기술 개발 과정에서 다수의 국내외 특허와 양산 기술의 노하우를 확보, 생산성뿐 아니라 기술 경쟁력에서도 세계 최고 수준에 이르는 계기가 됐다.